钛媒体App 12月9日消息，2024年IEEE国际电子器件会议上，英特尔旗下芯片代工业务部门对外展示了多项技术突破，在新材料方面，公司展示了减成法钌互连技术（subtractive Ruthenium），最高可将线间电容降低25% ，有助于改善芯片内互连。封装工艺上，英特尔代工还公布了一种用于先进封装的异构集成解决方案，能将吞吐量提升高达100倍，实现超快速的芯片间封装（chip-to-chip assembly）。此外，为进一步推动全环绕栅极（GAA）微缩，英特尔还推出了硅基RibbionFET CMOS （互补金属氧化物半导体）技术、用于微缩的2D场效应晶体管（2D FETs）的栅氧化层（gate oxide）模块等。